存储芯片恐将再入低谷

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据TrendForce统计，由于DRAM及NAND Flash供应商减产不及需求走弱速度，部分产品在今年第二季度均价季跌幅有扩大趋势，DRAM扩大至13~18%，NAND Flash则扩大至8~13%。

TrendForce表示，由于PC DRAM、Server DRAM、Mobile DRAM占总DRAM消耗量超过85%，且DDR5比重仍低，因此，DRAM价格跌幅扩大的主因，是DDR4与LPDDR5的库存过高之故。

PC DRAM方面，由于DDR4库存量充足，供应商虽急欲降低库存，然成交量并没有变多。 反观，DDR5由于供给较紧缺，跌幅则较DDR4小。 整体而言，PC DRAM第二季均价跌幅扩大至15~20%。

Server DRAM方面，由于服务器整机需求持续下修，导致原厂DDR4库存压力上升，季跌幅扩大至18~23%，而DDR5则受PMIC问题影响，供应限缩，促使第二季均价跌幅收敛至13~18%，然由于DDR5比重仍低，对价格变动影响有限，故Server DRAM第二季均价季跌幅仍近15~20%。

Mobile DRAM方面，随着智能手机品牌的内存库存修正告一段落，拉货动能较去年提升，但供应商库存压力仍高，因此让利促销意愿同步提升。 目前观察买方已将第三季需求与第二季合并以增加谈判筹码，影响第二季Mobile DRAM均价季跌幅扩大至13~18%。

而NAND Flash主要受Enterprise SSD、UFS跌幅扩大，主因为市场供过于求状况仍未改善，两大产品占总NAND Flash消耗量超过50%。 Enterprise SSD方面，服务器整机需求持续下修，加深原厂Enterprise SSD库存压力，尤其中国地区订单仍未因解封而有大幅增长。

而Server ODM的订单量也受库存压抑难以上升，影响第二季Enterprise SSD均价跌幅扩大至10~15%。 预估随着新平台放量，加上库存持续去化，下半年Enterprise SSD需求有机会出现明显增长。

UFS方面，随着智能手机品牌的存储器库存修正告一段落，虽拉货动能较去年提升，但供货商库存压力仍高，因此让利促销的意愿也同步升高。

厂商有不同的声音

与TrendForce看衰存储芯片前景有所不同，行业大厂三星和SK海力士认为存储芯片业复苏在望。

据华尔街日报（WSJ）报道，三星电子认为其半导体部门第一季度营业亏损34亿美元，但预计随着存储芯片需求回升，下半年需求可望逐渐复苏。 三星指出，客户的库存量如今消耗殆尽，智能手机和个人电脑制造商也将为推出新产品备料。

SK海力士（SK Hynix）也有类似说法，认为下半年复苏在望，该公司表示，今年头三个月，客户的库存量一直在降低，为日后开始补货腾出空间; 同时，供应商减产的效应也将浮现。 SK海力士财务长在4月底的法说会上说：“内存市况仍艰困，但似乎即将触底回升。 我们预期，上半年期间会见到稍有改善。”

整体而言，半导体产业之前遭遇多年来最惨的一波景气下滑，使疫情驱动的一波需求激增荣景戛然而止。 去年以来，全球经济成长减速、通膨窜升、地缘政治紧张促使企业和消费者抑制电子装置支出，都在影响存储芯片供需关系。

在新冠肺炎疫情肆虐期间，科技产品需求旺盛，把两大类存储芯片（DRAM和NAND闪存）价格拱上顶峰; 然而，去年下半年起，供应过剩的顾虑导致价格开始大跌，颓势延续至今年。

不过，去年存储芯片制造大厂，包括SK海力士、美光科技、西部数据（WD）和总部在东京的铠侠（Kioxia）在内，都为了维护获利能力，纷纷宣布减产或缩减投资扩产的计划。 三星本月也表示，正削减存储芯片生产，加入同业减产行列。

TrendForce预测，今年第三季度DRAM合约均价的季比跌幅可能达到7%，NAND跌幅估为1%，到第四季度DRAM和NAND跌幅可能分别为3%和7%。对照下，两种存储芯片第一季度和第二季度的价格跌幅深达两位数。

三星移动事业副总裁Daniel Araujo表示，他认为下半年会见到全球经济复苏和通胀缓和下来的迹象，并预测消费者将重新打开荷包支出，使智能手机市场脱疲翻醒。 三星存储芯片部门执行副总裁Kim Jae-june表示，人工智能（AI）技术和数据驱动的运算欣欣向荣，也可望助长尖端记忆芯片的需求，而内存供应量减少也有帮助。

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